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技术规格
访问时间150 ns
基本产品编号MB85R8
生命周期状态Active
内存格式FRAM
内存接口Parallel
记忆组织512K x 16
内存大小8Mbit
内存类型Non-Volatile
制造商Fujitsu Semiconductor Memory Solution
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
封装/箱体48-VFBGA
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型（制造商）48-FBGA (8x6)
技术FRAM (Ferroelectric RAM)
电源电压1.8V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)150ns
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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0071（其他；不适用进口关税）
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