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CMS70N04H8-HF
N 沟道 40 V 70A (Tc) 2W (Ta)、72.3W (Tc) 表面贴装 DFN5x6 (PR-PAK)

N/A

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安博睿电子元件编号
ABR278-CMS70N-1066644
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Obsolete
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包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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技术规格
基本产品编号CMS70
25°C 时的连续漏极电流 (ID)70A (Tc)
漏源电压 (VDS)40 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)19.7 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1278 pF @ 25 V
生命周期状态Obsolete
制造商Comchip Technology
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerTDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散2W (Ta), 72.3W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻8.5mOhm @ 20A, 10V
系列-
封装类型(制造商)DFN5x6 (PR-PAK)
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 250µA

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扩展链接
Datasheets
Environmental Information
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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