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技术规格
访问时间3.8 ns
基本产品编号AS8C403600
时钟频率150 MHz
生命周期状态Active
内存格式SRAM
内存接口Parallel
记忆组织128K x 36
内存大小4Mbit
内存类型Volatile
制造商Alliance Memory, Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 70°C (TA)
封装/箱体100-LQFP
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型（制造商）100-TQFP (14x20)
技术SRAM - Synchronous, SDR
电源电压3.135V ~ 3.465V
写入周期 (Twc)6.7ns
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN 3A991B2A 型
美国协调关税表 8542.32.0041（静态读写随机存取存储器（SRAM）；不征收进口税）
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