图片仅供参考,以实物为准。
AS4C256M16D3-12BAN
SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gbit 并行 800 MHz 20 ns 96-FBGA(9x13)

N/A

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR774-AS4C25-594785
生命周期状态
Obsolescence Review In Progress
预计交货时间
-
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 5
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tray
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
访问时间20 ns
基本产品编号AS4C256
时钟频率800 MHz
年级Automotive
生命周期状态Obsolescence Review In Progress
内存格式DRAM
内存接口Parallel
记忆组织256M x 16
内存大小4Gbit
内存类型Volatile
制造商Alliance Memory, Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 105°C (TC)
封装/箱体96-TFBGA
包装
Tray
参数编程Supported
资格AEC-Q100
系列-
封装类型(制造商)96-FBGA (9x13)
技术SDRAM - DDR3
电源电压1.425V ~ 1.575V
写入周期 (Twc)15ns

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0036(超过 1 千兆位;不征收进口税)
相关产品
SDRAM 存储器 IC 512Mbit 并行 143 MHz 6 ns 54-FBGA(8x8)
SDRAM 存储器 IC 512Mbit 并行 143 MHz 6 ns 54-FBGA(8x8)
SDRAM 存储器 IC 512Mbit 并行 143 MHz 6 ns 54-FBGA(8x8)
SRAM - 异步存储器 IC 256Kbit 并行 70 ns 28-SOP
AS7C3256A-10TIN¥34.0940
SRAM - 异步存储器 IC 256Kbit 并行 10 ns 28-TSOP I