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AM29LV116DT-90EI
FLASH - 引导块存储器 IC 16Mbit 并行 90 ns 40-TSOP

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安博睿电子元件编号
ABR774-AM29LV-2846374
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技术规格
访问时间90 ns
生命周期状态Active
内存格式FLASH
内存接口Parallel
记忆组织2M x 8
内存大小16Mbit
内存类型Non-Volatile
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
封装/箱体40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
包装
Bulk
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)40-TSOP
技术FLASH - Boot Block
电源电压2.7V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)90ns
基本产品编号AM29LV116

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扩展链接
环境及出口分类
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表8542.32.0051(电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM));不征收进口税)
RoHS 合规性不符合 RoHS 规定,无法进入欧盟市场
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规根据要求提供 REACH 详细信息
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