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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)-
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)-
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装
Tube
功率 - 最大500mW
封装类型（制造商）8-SOIC
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (VDS)10.6V
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)2.5pF @ 5V
配置2 N-Channel (Dual) Matched Pair
系列EPAD®, Zero Threshold™
RDS(on) 漏极至源极导通电阻500Ohm @ 4V
基本产品编号ALD110900
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）20mV @ 1µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095（其他；不适用进口关税）
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
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